www.BOB.com可选的,所述氮化硅的构成工艺为化教气相堆积工艺。可选的,所述光刻胶的构成步伐包露正在所述氮化硅层表里构成一层光刻胶层;接着经过暴光将掩膜版上的与刻蚀氮刻蚀氮www.BOB.com化硅划片道咋会打火(氮化硅刻蚀工艺)维普资讯团jl0,f01兰衰d——一制制重与工蔓艺氮化硅刻蚀工艺的研究趋水林(上海先辈半导体制制股分无限公司,上海,200233)戴要:对氮化硅阻挠层或

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2、内容提示:第43卷第5期耐水与石灰氮化硅薄膜刻蚀研究范亚娟(中钢散团洛阳耐水材料无限公司,洛阳471000)戴要:氮化硅薄膜刻蚀是制制微电

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6、专利称号：刻蚀设备战氮化硅的刻蚀办法专利范例：创制专利创制人：赵金强,周国仄,薛锋,王惠芳请求号：.2请求日：悍然号：悍然日：20

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